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991.
飞机圆弧风挡抗鸟撞试验研究   总被引:9,自引:0,他引:9  
进行了某型飞机圆弧风挡抗鸟撞试验研究,为了解风挡边界及相关附件的影响,实验系统包括飞机前舱较大范围的部件。采用高速摄像系统记录了风挡动力响应变形的全过程,得到了该机型圆弧风挡抗鸟撞极限速度的范围及响应过程中关注点的位移、应变-时间曲线等数据。分析了风挡关键点位移随撞击速度的变化规律,给出了撞击临界速度与应变之间的变化规律,同时计算了风挡受鸟撞时的动态应力值,为进一步设计研制具有高抗鸟撞能力的风挡提供了有价值的数据。  相似文献   
992.
通过对坐标作包含因变量的非线性泛函的变换,以首项渐近解和相应的坐标变换给出原问题的二阶的近似解,并把这种思想进一步推广到更复杂的非线性方程,用较为简洁的方法求得了一类非线性方程的二阶渐近解.  相似文献   
993.
中高温热泵新工质HTR02实验研究   总被引:12,自引:1,他引:11  
本文从中高温水源热泵对制冷剂的特殊要求入手,通过研究工质的性质、材料相容性、油溶性,开发了一种综合性能较好的混合工质HTR02。通过对新工质在中高温水源热泵试验台机组的大量热工性能试验以及对试验结果的误差和性能分析,表明该工质能够产生75℃左右的热水,有较高的性能系数,具有很好的应用前景;最后还引用比容积压缩功的方法讨论了新工质充灌原有R134a压缩机时的匹配问题。  相似文献   
994.
轴流式喷水推进器泵级内部流场的数值计算   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用数值计算的方法,研究了轴流喷水推进器泵级模型的内部三维紊流流场和性能。计算针对泵级的进口到喷水推进器的出口进行,包括进水区域、叶轮、导流壳区域的泵级整个流道。采用结构网格对计算区域进行剖分,应用NUMECA软件对控制方程进行求解。选用Spalart-Allmaras一方程紊流模型,使用时间推进法计算流场中的流动参数。并根据流场计算结果对泵级的流量-扬程特性和流量-效率特性进行了预测。计算与实验结果对比表明,二者取得了较好的一致,说明采用的计算方法具有较好的可信性及较高的计算精度。根据流场计算结果,对泵级的性能进行了分析。  相似文献   
995.
采用丙烯酸酯基桥联γ -取代的β -二酮分别与水合肼和盐酸羟胺反应, 合成并表征了含有长链和共轭结构的吡唑和异噁唑类新化合物, 研究了不同溶剂对反应的影响. 实验结果表明, 当用乙醇为反应溶剂时, γ -取代的β -二酮与盐酸羟胺反应得到异噁唑化合物;与水合肼反应不能得到目标吡唑化合物, 而得到α , β -不饱和双键被还原的酰肼化合物;当用乙酸作为反应溶剂时, γ -取代的β -二酮与水合肼反应得到目标吡唑类化合物. 进一步探讨了生成酰肼化合物的反应历程.  相似文献   
996.
特种纤维素酶催化水解壳聚糖及壳寡糖的制备研究   总被引:10,自引:1,他引:9  
用凝胶渗透色谱法研究了特种纤维素酶催化水解过程中的分子量及其分布,制备了不同低分子量的壳聚糖和壳寡糖,详细研究了水解温度、pH值、时间和酶的用量等因素对酶催化水解产物的分子量及其分布的影响,制备壳寡糖的反应条件为壳聚糖质量分数w=0.01,水解温度58℃,pH=5.3,特种纤维素酶w=0.10,反应时间3h。  相似文献   
997.
阻抑动力学光度法测定痕量铌(Ⅴ)   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究发现,在硫酸介质中,痕量铌(Ⅴ)能灵敏地阻抑溴酸钾氧化二甲基黄褪色。研究了该阻抑褪色反应的最佳条件及动力学参数,建立了一种测定痕量铌(Ⅴ)的新方法。该法测定线性范围为0~30 ng/10mL,检出限为4.21×10-11 g/ mL。方法用于矿石中铌的测定,结果满意。  相似文献   
998.
采用表征分子内部化学微环境的结构描述子原子电负性作用矢量(Atomic Electronegativity Interaction Vector, AEIV)对255个共振碳原子进行了结构表征,应用多元线性回归技术建立了结构描述子AEIV与这些碳原子的13C NMR化学位移的定量相关模型.该定量结构谱图关系(定量构谱关系/QSSR)模型的复相关系数达到RMM=0.915,标准偏差为SDMM=14.879. 采用留一法交互检验的结果为RCV=0.909,SDCV=15.324. 结果表明,模型具有良好的估计力和稳定性.  相似文献   
999.
用于FED和PDP平板显示高压驱动电路的CMOS器件   总被引:1,自引:0,他引:1  
李桦  宋李梅  杜寰  韩郑生 《发光学报》2005,26(5):678-683
在Synopsys TCAD软件环境下,结合中国科学院微电子研究所0.8μm标准CMOS工艺条件对于高压CMOS器件进行了工艺和器件模拟。由于考虑到与标准CMOS工艺的兼容性,高压CMOS器件均采用LDMOS结构;根据RESURF技术,对于器件的漂移区进行了优化。器件模拟结果表明,高压NMOS器件源漏击穿电压为220 V;阈值电压和驱动能力分别为0.8 V和1×10-4A/μm。高压PMOS器件源漏击穿电压为-135 V;阈值电压和驱动能力分别为-9.7 V和1.8×10-4A/μm。高压CMOS器件的研制可为进一步研制FED和PDP平板显示高压驱动电路奠定基础。  相似文献   
1000.
一种基于畸变等效曲面的图像畸变校正   总被引:8,自引:0,他引:8  
韩广良  宋建中 《光学技术》2005,31(1):122-124
介绍了一种图像畸变的等效曲面模型,用于修正由于光学系统或图像传感器产生的畸变。分析了球形畸变模型的原理,推导出基于球形模型的畸变校正公式,并给出了基于球形模型的畸变校正的具体实现方法,通过实验对这种畸变校正的效果进行了验证。这种曲面畸变模型的校正具有实现简单,不需求解方程组等优点,并可以推广到其他曲面,具有比较广泛的实用性。  相似文献   
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